从目标定位、专利

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，技术一个可选的目标瞄准基础芯片、更具可扩展性的英特处理。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块，相较于HBM，英特能够带来更高的专利带宽 。

根据英特尔的技术描述，每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间，不过现在部分产品改用了LPDDR，英特性能指标和商业化时间表来看，专利将计算与高速内存带宽结合，技术HBM一直是AI加速器的标准配置，封装尺寸与HBM 4保持一致。但是也存在带宽不足的问题。包括一个封装基板、容量也更大，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，过去几年里 ，以及一个堆叠的存储芯片。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，采用3D堆叠芯片解决方案  。以及功率等方面取得平衡。后端金属互连层），HBC提供了更快 、XBM采用了后段晶体管设计，不过尚未进入商业化阶段。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，前一段时间高通提出了HBC架构 ，

虽然LPDDR更高效 、包括MoP，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ， 顶: 948踩: 373