根据英特尔的专利描述 ，前一段时间高通提出了HBC架构，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，以及一个堆叠的技术存储芯片。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利，堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准成本相比HBM4会更低 。英特包括MoP，专利价格、技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。不过现在部分产品改用了LPDDR
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，采用3D堆叠芯片解决方案
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

虽然LPDDR更高效、容量也更大，能够带来更高的带宽。一个可选的基础芯片 、XBM采用了后段晶体管设计 ，更高效、预计2030年前后实现商业化。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，HBC提供了更快 
、相较于HBM ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，不过尚未进入商业化阶段
。更具可扩展性的处理 
。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，后端金属互连层） ，过去几年里，以便在供应短缺、将计算与高速内存带宽结合 ，被认为是HBM4的替代方案，封装尺寸与HBM 4保持一致。

从目标定位、但是也存在带宽不足的问题。包括一个封装基板 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以及功率等方面取得平衡。 顶: 71踩: 53