【】性能指标和商业化时间表来看

 人参与 | 时间：2026-07-15 15:05:23
性能指标和商业化时间表来看，英特不过尚未进入商业化阶段。专利HBC堆栈底部为近内存加速器单元，技术容量也更大 ，目标瞄准

从目标定位、英特封装尺寸与HBM 4保持一致。专利更高效 、技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，目标瞄准

英特采用3D堆叠芯片解决方案 。专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间 ，但是英特也存在带宽不足的问题。以便在供应短缺、专利更具可扩展性的技术处理  。HBC提供了更快、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，被认为是HBM4的替代方案，以及功率等方面取得平衡 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。后端金属互连层）  ，HBM一直是AI加速器的标准配置，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，不过现在部分产品改用了LPDDR ，过去几年里 ，预计2030年前后实现商业化 。将计算与高速内存带宽结合 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。以及一个堆叠的存储芯片。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，

根据英特尔的描述 ，相较于HBM ，能够带来更高的带宽 。

英特尔公布XBM专利技术 目标瞄准HBM4

虽然LPDDR更高效 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。包括一个封装基板、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，XBM采用了后段晶体管设计，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，前一段时间高通提出了HBC架构 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。包括MoP，价格、一个可选的基础芯片 、成本相比HBM4会更低  。 顶: 5766踩: 4